ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
TK31A60W,S4VX
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Toshiba Semiconductor and Storage
ເລະທີ່ສ່ວນ:
TK31A60W,S4VX-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220SIS
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 30.8A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
ສິນຄ້າ:
47 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12890569
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
TK31A60W,S4VX ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
DTMOSIV
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
30.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
88mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 1.5mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 300 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
45W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220SIS
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3 Full Pack
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
TK31A60
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ຊື່ ອື່ນໆ
TK31A60W,S4VX(M
TK31A60WS4VX-DG
264-TK31A60W,S4VX
TK31A60WS4VX
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STF40N60M2
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
1205
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STF40N60M2-DG
ລາຄາຕໍານອນ
2.95
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IPA65R095C7XKSA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
384
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IPA65R095C7XKSA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
2.62
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
TPCA8028-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 50A 8SOP
TPCP8005-H(TE85L,F
MOSFET N-CH 30V 11A PS-8
TK3A65DA(STA4,QM)
MOSFET N-CH 650V 2.5A TO220SIS