TK2R4A08QM,S4X

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

TK2R4A08QM,S4X

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Toshiba Semiconductor and Storage

ເລະທີ່ສ່ວນ:

TK2R4A08QM,S4X-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4MOHM

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 80 V 100A (Tc) 47W (Tc) Through Hole TO-220SIS

ສິນຄ້າ:

80 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12965604

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

TK2R4A08QM,S4X ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

ບັນທຶກ

Tube

ຊຸດ

U-MOSX-H

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

100A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.44mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 2.2mA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

179 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

13000 pF @ 40 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

47W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

175°C

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Through Hole

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

TO-220SIS

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-220-3 Full Pack

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

TK2R4A08QM,S4X-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

50

ຊື່ ອື່ນໆ

264-TK2R4A08QMS4X

264-TK2R4A08QM,S4X-DG

264-TK2R4A08QM,S4X

TK2R4A08QM,S4X(S

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

toshiba-semiconductor-and-storage

TK5R1A08QM,S4X

UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1MOHM

rohm-semi

R6520KNX3C16

650V 20A, TO-220AB, HIGH-SPEED S

infineon-technologies

IGT60R070D1ATMA4

GANFET N-CH

infineon-technologies

IGLD60R070D1AUMA3

GANFET N-CH