ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
TK25E06K3,S1X(S
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Toshiba Semiconductor and Storage
ເລະທີ່ສ່ວນ:
TK25E06K3,S1X(S-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 60V 25A TO220-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 60 V 25A (Ta) 60W (Tc) Through Hole TO-220-3
ສິນຄ້າ:
12889290
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
TK25E06K3,S1X(S ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
U-MOSIV
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
60W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
TK25E06
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ຊື່ ອື່ນໆ
TK25E06K3S1XS
TK25E06K3S1X(S
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
RoHS Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
HUF75332P3
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
517
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
HUF75332P3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.72
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IRFZ48PBF
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
988
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IRFZ48PBF-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.19
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IRFZ48RPBF
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
960
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IRFZ48RPBF-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.21
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
TK30E06N1,S1X
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Semiconductor and Storage
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
24
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
TK30E06N1,S1X-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.31
ປ່ແທນປະເພດ
Direct
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
2SK2995(F)
MOSFET N-CH 250V 30A TO3PIS
SSM3J35CTC,L3F
MOSFET P-CH 20V 250MA CST3C
TK13A60D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS
