ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
TK1K9A60F,S4X
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Toshiba Semiconductor and Storage
ເລະທີ່ສ່ວນ:
TK1K9A60F,S4X-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 3.7A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
ສິນຄ້າ:
12891425
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
TK1K9A60F,S4X ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
U-MOSIX
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
3.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.9Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 400µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
490 pF @ 300 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
30W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220SIS
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3 Full Pack
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
TK1K9A60
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ຊື່ ອື່ນໆ
TK1K9A60FS4X(S
TK1K9A60F,S4X(S
TK1K9A60FS4X
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STP5NK80ZFP
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
943
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STP5NK80ZFP-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.03
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FCPF2250N80Z
ຜູ້ຜະລິດ
Fairchild Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
360
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FCPF2250N80Z-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.39
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
TPCC8065-H,LQ(S
MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON
TJ10S04M3L(T6L1,NQ
MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
TK16E60W5,S1VX
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
