TK12E80W,S1X
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

TK12E80W,S1X

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Toshiba Semiconductor and Storage

ເລະທີ່ສ່ວນ:

TK12E80W,S1X-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 800 V 11.5A (Ta) 165W (Tc) Through Hole TO-220

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ
12949829
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

TK12E80W,S1X ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
DTMOSIV
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
11.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 570µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1400 pF @ 300 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
165W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
TK12E80

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
TK12E80W

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ຊື່ ອື່ນໆ
TK12E80WS1X
TK12E80W,S1X(S

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STP13N80K5
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
312
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STP13N80K5-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.60
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
toshiba-semiconductor-and-storage

TK62J60W,S1VQ

MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P

diodes

DMPH6250SQ-13

MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23 T&R

taiwan-semiconductor

TSM4N80CZ C0G

MOSFET N-CHANNEL 800V 4A TO220

taiwan-semiconductor

TSM1NB60CH C5G

MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO251