TJ60S06M3L,LXHQ

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

TJ60S06M3L,LXHQ

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Toshiba Semiconductor and Storage

ເລະທີ່ສ່ວນ:

TJ60S06M3L,LXHQ-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET P-CH 60V 60A DPAK

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

P-Channel 60 V 60A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK+

ສິນຄ້າ:

1828 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12939584

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

TJ60S06M3L,LXHQ ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

ບັນທຶກ

Tape & Reel (TR)

ຊຸດ

U-MOSVI

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

P-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

60A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

156 nC @ 10 V

Vgs (Max)

+10V, -20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

7760 pF @ 10 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

100W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

175°C

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

DPAK+

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

TJ60S06

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

TJ60S06M3L,LXHQ-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

TJ60S06M3L,LXHQ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

2,000

ຊື່ ອື່ນໆ

TJ60S06M3L,LXHQ(O

264-TJ60S06M3LLXHQTR

264-TJ60S06M3LLXHQCT

264-TJ60S06M3LLXHQDKR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

microchip-technology

APT20M34SLLG/TR

MOSFET N-CH 200V 74A D3PAK

2SK3755-AZ

TRANSISTOR

onsemi

NTLUS030N03CTAG

MOSFET N-CH 30V 4.5A 6UDFN

toshiba-semiconductor-and-storage

XPW6R30ANB,L1XHQ

MOSFET N-CH 100V 45A 8DSOP