TJ60S04M3L,LXHQ
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

TJ60S04M3L,LXHQ

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Toshiba Semiconductor and Storage

ເລະທີ່ສ່ວນ:

TJ60S04M3L,LXHQ-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET P-CH 40V 60A DPAK
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 40 V 60A (Ta) 90W (Tc) Surface Mount DPAK+

ສິນຄ້າ:

1880 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12939626
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

TJ60S04M3L,LXHQ ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
U-MOSVI
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
60A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
125 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+10V, -20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6510 pF @ 10 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
90W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
175°C
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
DPAK+
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
TJ60S04

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,000
ຊື່ ອື່ນໆ
264-TJ60S04M3LLXHQDKR
264-TJ60S04M3LLXHQTR
264-TJ60S04M3LLXHQCT
TJ60S04M3L,LXHQ(O

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
infineon-technologies

IRF7805ZTRPBF-1

MOSFET N-CH 30V 16A 8SO

microchip-technology

APT34F60S/TR

MOSFET N-CH 600V 36A D3PAK

toshiba-semiconductor-and-storage

TJ80S04M3L,LXHQ

MOSFET P-CH 40V 80A DPAK

microchip-technology

MSC130SM120JCU3

SICFET N-CH 1.2KV 173A SOT227