ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SSM6N35AFE,LF
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Toshiba Semiconductor and Storage
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SSM6N35AFE,LF-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET 2N-CH 20V 0.25A ES6
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 20V 250mA (Ta) 250mW Surface Mount ES6
ສິນຄ້າ:
87942 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12889399
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
on4k
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SSM6N35AFE,LF ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ການຕັ້ງຄ່າ
2 N-Channel (Dual)
ລັກສະນະ FET
Logic Level Gate, 1.2V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 100µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.34nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
36pF @ 10V
ພະລັງ - Max
250mW
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SOT-563, SOT-666
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
ES6
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SSM6N35
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
4,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SSM6N35AFE,LF(B
SSM6N35AFELF(B
SSM6N35AFELF
SSM6N35AFELF-DG
SSM6N35AFELFTR
SSM6N35AFELFCT
SSM6N35AFE,LF(T
SSM6N35AFELFDKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SSM6L14FE(TE85L,F)
MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6
SSM6L13TU(T5L,F,T)
MOSFET N/P-CH 20V 800MA UF6
SSM6N7002BFE,LM
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
