ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SSM6J53FE(TE85L,F)
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Toshiba Semiconductor and Storage
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SSM6J53FE(TE85L,F)-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 20 V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
ສິນຄ້າ:
12890473
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SSM6J53FE(TE85L,F) ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
136mOhm @ 1A, 2.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10.6 nC @ 4 V
Vgs (Max)
±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
568 pF @ 10 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
500mW (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
ES6
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SOT-563, SOT-666
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SSM6J53
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
4,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SSM6J53FE(TE85LF)CT
SSM6J53FE(TE85LF)TR
SSM6J53FETE85LF
SSM6J53FE(TE85LF)DKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
NTZS3151PT1G
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
17660
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
NTZS3151PT1G-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.07
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
TK040N65Z,S1F
MOSFET N-CH 650V 57A TO247
SSM3K16CT,L3F
MOSFET N-CH 20V 100MA CST3
TPN22006NH,LQ
MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
