SSM6J206FE(TE85L,F
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SSM6J206FE(TE85L,F

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Toshiba Semiconductor and Storage

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SSM6J206FE(TE85L,F-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET P-CH 20V 2A ES6
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 20 V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6

ສິນຄ້າ:

12889259
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

SSM6J206FE(TE85L,F ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 1A, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Vgs (Max)
±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
335 pF @ 10 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
500mW (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
ES6
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SOT-563, SOT-666
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SSM6J206

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
4,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SSM6J206FETE85LF
SSM6J206FE(TE85LFCT
SSM6J206FE(TE85LFTR
SSM6J206FE(TE85LFDKR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
RoHS Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
NTZS3151PT1G
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
17660
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
NTZS3151PT1G-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.07
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
toshiba-semiconductor-and-storage

TK40P04M1(T6RSS-Q)

MOSFET N-CH 40V 40A DP

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J09FU,LF

MOSFET P-CH 30V 200MA USM

toshiba-semiconductor-and-storage

TK7S10N1Z,LQ

MOSFET N-CH 100V 7A DPAK

toshiba-semiconductor-and-storage

TK20A60W5,S5VX

MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS