ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SSM6H19NU,LF
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Toshiba Semiconductor and Storage
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SSM6H19NU,LF-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 40 V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-UDFN (2x2)
ສິນຄ້າ:
54777 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12890496
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SSM6H19NU,LF ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
U-MOSVII-H
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
185mOhm @ 1A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 1mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2.2 nC @ 4.2 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
130 pF @ 10 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
6-UDFN (2x2)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
6-UDFN Exposed Pad
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SSM6H19
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SSM6H19NU,LF(T
SSM6H19NULFTR
SSM6H19NULFDKR
SSM6H19NU,LF(B
SSM6H19NULFCT
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
TPH7R006PL,L1Q
MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
TPH4R008NH,L1Q
MOSFET N-CH 80V 60A 8SOP
TK35N65W5,S1F
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
