ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SSM3J16CT(TPL3)
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Toshiba Semiconductor and Storage
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SSM3J16CT(TPL3)-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET P-CH 20V 100MA CST3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 20 V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount CST3
ສິນຄ້າ:
12889676
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SSM3J16CT(TPL3) ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
π-MOSVI
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
100mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 100µA
Vgs (Max)
±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
11 pF @ 3 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
100mW (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
CST3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SC-101, SOT-883
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SSM3J16
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
10,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SSM3J16CTTPL3
SSM3J16CT(TPL3)CT
SSM3J16CT(TPL3)DKR
SSM3J16CT(TPL3)TR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
RoHS Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
RSC002P03T316
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
51619
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
RSC002P03T316-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.03
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
PMZ950UPEYL
ຜູ້ຜະລິດ
NXP Semiconductors
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
349613
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
PMZ950UPEYL-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.04
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SSM6K404TU,LF
MOSFET N-CH 20V 3A UF6
TK5Q65W,S1Q
MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK
TK20V60W5,LVQ
MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
