ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
RN4906FE,LF(CT
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Toshiba Semiconductor and Storage
ເລະທີ່ສ່ວນ:
RN4906FE,LF(CT-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
ສິນຄ້າ:
4000 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12889128
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
RN4906FE,LF(CT ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ຄວາມຮວມສນານ ບິໂປລາ ທຣານຊິສຕອນ ອາລະວິເສດ, ພຣີ-ບາຍສດ
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Resistor - Base (R1)
4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
200MHz
ພະລັງ - Max
100mW
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SOT-563, SOT-666
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
ES6
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
RN4906
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
4,000
ຊື່ ອື່ນໆ
RN4906FELF(CTCT
RN4906FELF(CBTR
RN4906FE(TE85LF)TR-DG
RN4906FE(TE85LF)CT
RN4906FELF(CBCT
RN4906FELF(CTDKR
RN4906FE,LF(CB
RN4906FELF(CBDKR-DG
RN4906FELF(CBCT-DG
RN4906FE(TE85LF)DKR
RN4906FE(TE85LF)TR
RN4906FELF(CTTR
RN4906FELF(CBDKR
RN4906FE(TE85LF)CT-DG
RN4906FELF(CBTR-DG
RN4906FE(TE85LF)DKR-DG
RN4906FE(TE85L,F)
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
RN4987FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN2962FE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN2711(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV
