ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
RN2906(T5L,F,T)
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Toshiba Semiconductor and Storage
ເລະທີ່ສ່ວນ:
RN2906(T5L,F,T)-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
ສິນຄ້າ:
12891021
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
RN2906(T5L,F,T) ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ຄວາມຮວມສນານ ບິໂປລາ ທຣານຊິສຕອນ ອາລະວິເສດ, ພຣີ-ບາຍສດ
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ Transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Resistor - Base (R1)
4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
200MHz
ພະລັງ - Max
200mW
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
US6
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
RN2906
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
RN2906(T5LFT)TR
RN2906(T5LFT)DKR
RN2906(T5LFT)CT
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
PUMB13,115
ຜູ້ຜະລິດ
Nexperia USA Inc.
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
3002
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
PUMB13,115-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.02
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
MUN5133DW1T1G
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
12317
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
MUN5133DW1T1G-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.03
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
RN2910(T5L,F,T)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
RN4987,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN4602TE85LF
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6