ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
RN2112,LF(CT
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Toshiba Semiconductor and Storage
ເລະທີ່ສ່ວນ:
RN2112,LF(CT-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW Surface Mount SSM
ສິນຄ້າ:
3000 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12891205
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
RN2112,LF(CT ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິບລາ ແບບດຽວ ປິບິດ ນິຍົມ ບິບລາ
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
PNP - Pre-Biased
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Resistor - Base (R1)
22 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
200 MHz
ພະລັງ - Max
100 mW
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SC-75, SOT-416
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
SSM
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
RN2112
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
RN2112,LF(CB
RN2112,LF(CTTR
RN2112,LF(CTCT-DG
RN2112LF(CBDKR
RN2112(T5L,F,T)
RN2112(T5LFT)TR-DG
RN2112LF(CTTR
RN2112LF(CBCT
RN2112,LF(CTDKR
RN2112LF(CBTR
RN2112LF(CBTR-DG
RN2112LF(CTDKR
RN2112(T5LFT)CT
RN2112LF(CBCT-DG
RN2112,LF(CTCT
RN2112LF(CTCT
RN2112(T5LFT)CT-DG
RN2112(T5LFT)DKR-DG
RN2112(T5LFT)TR
RN2112LF(CBDKR-DG
RN2112(T5LFT)DKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
RN2108(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
RN2130MFV,L3F
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
RN2103ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3