ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
RN2110MFV,L3F
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Toshiba Semiconductor and Storage
ເລະທີ່ສ່ວນ:
RN2110MFV,L3F-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
ສິນຄ້າ:
7990 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12890460
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
RN2110MFV,L3F ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິບລາ ແບບດຽວ ປິບິດ ນິຍົມ ບິບລາ
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
PNP - Pre-Biased
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Resistor - Base (R1)
4.7 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
ພະລັງ - Max
150 mW
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SOT-723
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
VESM
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
RN2110
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
8,000
ຊື່ ອື່ນໆ
264-RN2110MFV,L3FCT
264-RN2110MFV,L3FDKR
RN2110MFVL3F-DG
264-RN2110MFV,L3FTR
RN2110MFVL3F
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
NSBA143TF3T5G
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
8000
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
NSBA143TF3T5G-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.03
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
DTA143TMT2L
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
16000
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
DTA143TMT2L-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.04
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
DTA043TMT2L
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
DTA043TMT2L-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.02
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
DDTC143EE-7-F
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523
DDTA114ECA-7
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
DDTA124XE-7-F
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT523
