ໜ້າທໍ່
ສິນຄ້າ
ຜູ້ປະຕິບັດ
ແກ່ການເວັບໄຊ DiGi
ແຈ້ງບັນຊາ
ບລັອກ ແລະໂພສ
RFQ/ອະທິບາຍ
Laos
ເຂົ້າໃຈ
ເລືອກພາສາ
ພາສາປະຈຸບັນຂອງທ່ານແວ່ນເລືອກ:
Laos
ປ່ອນ:
ພາສາອັງກິດ
ເອີຣົບ
ປະເທດຣາດຊະອານາຈັກອັງກິດ
DR Congo
ປະເທດອາເຈນຕິນາ
ປະເທດຕຸລາກີ
ປະເທດໂຣມາເນຍ
ປະເທດລິດທົວເນຍ
ປະເທດນໍເວ
ປະເທດໂອຕຣິດ
ແອນ ໂກ ລາ
ປະເທດສະໂລວາເກຍ
ltaly
ປະເທດຟິນແລນ
ປະເທດເບລາຣຸດ
ປະເທດບັງກາເຣຍ
ປະເທດເດນມາກ
ປະເທດເອດສະໂຕເນຍ
ປະເທດໂປແລນ
ປະເທດຢູເຄຣນ
ປະເທດສະໂລວາເນຍ
ພາສາເຊັກໂກ
ພາສາເກຼັກ
ປະເທດໂຄເອເຊຍ
ປະເທດອິດສະລາແອວ
ມອນເຕເນໂກຣ
ພາສາຣັດເຊຍ
ປະເທດເບນຊິກ
ປະເທດສະວີເດັນ
ປະເທດເຊີເບຍ
ພາສາແບສ
ປະເທດໄອສແລນ
ປະເທດບອສເນຍ
ພາສາຮົງກາລີ
ປະເທດ Moldova
ປະເທດເຢຍລະມັນ
ປະເທດເນເທີແລນ
ປະເທດໄອແລນ
ອາຊີ / ປາຊີຟິກ
ປະ ເທດ ຈີນ
ປະເທດຫວຽດນາມ
ປະເທດອິນໂດເນເຊຍ
ປະເທດໄທ
ລາວເວົ້າ
ພາສາຟິລິບປິນ
ປະເທດມາເລເຊຍ
ປະເທດເກົາຫຼີ
ປະເທດຍີ່ປຸ່ນ
ຮົງກົງ
ປະເທດໄຕ້ຫວັນ
ປະເທດສິງກະໂປ
Pakistan
ປະເທດຊາອູດິອາຣະເບຍ
ປະເທດກາຕ້າ
ປະເທດກູເວດ
ປະເທດກໍາປູເຈຍ
ມຽນມາ
ອາ ຟຣິ ກາ, ອິນ ເດຍ ແລະ ຕາ ເວັນ ອອກ ກາງ
ປະເທດສະຫະພາບອາຣັບເອມິເຣດ
ຕາຈິກສະຕັນ
ມາດາກາສະກາ
ປະເທດອິນເດຍ
ປະເທດອີຣານ
ປະເທດຝຣັ່ງ
ປະເທດອັບຝຣິກກາໄຕ້
ປະເທດເອຢິບ
ປະເທດເຄນຢ້າ
ປະເທດ Tanzania
ປະ ເທດກາ ນາ
ເຊເນກາລ
ປະເທດໂມຣົກໂກ
ປະເທດຕຸນີເຊຍ
ອາ ເມ ຣິ ກາ ໃຕ້ / ໂອ ເຊຍ
ປະເທດນິວຊີແລນ
ປະເທດໂປຕູເກດ
ປະເທດເບຣຊິນ
ໂມຊໍາບິກ
ປະເທດເປຣູ
ປະເທດໂຄລຳເບຍ
ປະເທດຊິລີ
ປະເທດເວເນຊູເອລ້າ
ປະເທດເອກົວດໍ
ປະເທດໂບລີເວຍ
ປະເທດອູຣູໄກວ
ປະເທດສະເປນ
ປະເທດປາຣາໄກວ
ປະເທດອົດສະຕຣາລີ
ອາ ເມ ຣິ ກາ ເຫນືອ
ປະເທດສະຫະລັດອາເມລິກາ
ປະເທດ ເຮ ຕີ້
ປະເທດການາດາ
ປະເທດຄອດສະຕາຣິກາ
ປະເທດແມັກຊີໂກ
ແກ່ການເວັບໄຊ DiGi
ກໍ່ກ່ຽວກັບເຮົາ
ກໍ່ກ່ຽວກັບເຮົາ
ใบรับรองของเรา
DiGi ບົດນຳແນະ
ວສິຄະ ໃຫ້ DiGi
ນโยບາຍ
ປະລິມານຄຸນທັບ
ເງື່ນໄຂການໃຊ້ງານ
ການປ່ອນສາຍ RoHS
ການສະແດງການກັບຄືນ
ທະບຽນ
ປະເພດສິນຄ້າ
ຜູ້ປະຕິບັດ
ບລັອກ ແລະໂພສ
ໃບບໍລິສັດ
ການປະກັນຄະດີ
ວິທີການເຊອຍເອີນ
ການສົ່ງສິນຄ້າລະດົກທົ່ວໄປ
ອັດຕາຄ່າແບ່ງສົ່ງ
ຄວາມຖາມທີ່ພໍໃຈ
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
RN1911FETE85LF
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Toshiba Semiconductor and Storage
ເລະທີ່ສ່ວນ:
RN1911FETE85LF-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
ສິນຄ້າ:
RFQ ອອນໍານາ
12891129
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
*
ບໍລິສັດ
*
ຊື່ຕໍ່ສຽງ
*
ໂທ
*
ອີເມວ
ສະຖານທີ່ສົ່ງໃບເດີນ
ຂໍເລືອກສາທາລະນະ
(
*
) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
RN1911FETE85LF ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ຄວາມຮວມສນານ ບິໂປລາ ທຣານຊິສຕອນ ອາລະວິເສດ, ພຣີ-ບາຍສດ
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Resistor - Base (R1)
10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
250MHz
ພະລັງ - Max
100mW
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SOT-563, SOT-666
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
ES6
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
RN1911
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
RN1910,11FE Datasheet
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
4,000
ຊື່ ອື່ນໆ
RN1911FE(TE85L,F)
RN1911FETE85LFCT
RN1911FETE85LFTR
RN1911FETE85LFDKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
RoHS Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
EMH4T2R
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
22408
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
EMH4T2R-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.08
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
MUN5215DW1T1G
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
8150
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
MUN5215DW1T1G-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.03
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
EMH3T2R
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
528
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
EMH3T2R-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.08
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
RN4902,LF
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN1511(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
RN1901FETE85LF
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RN1961(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6