RN1711JE(TE85L,F)
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

RN1711JE(TE85L,F)

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Toshiba Semiconductor and Storage

ເລະທີ່ສ່ວນ:

RN1711JE(TE85L,F)-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

TRANSISTOR NPN X2 BRT Q1BSR10KOH
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV

ສິນຄ້າ:

4000 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12890305
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

RN1711JE(TE85L,F) ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ຄວາມຮວມສນານ ບິໂປລາ ທຣານຊິສຕອນ ອາລະວິເສດ, ພຣີ-ບາຍສດ
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Resistor - Base (R1)
10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
250MHz
ພະລັງ - Max
100mW
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SOT-553
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
ESV
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
RN1711

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
4,000
ຊື່ ອື່ນໆ
RN1711JE(TE85LF)DKR
RN1711JE(TE85LF)TR
RN1711JE(TE85LF)CT

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
toshiba-semiconductor-and-storage

RN2708JE(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2904FE,LF

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1710,LF

NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF.

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2909(T5L,F,T)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6