ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
RN1711JE(TE85L,F)
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Toshiba Semiconductor and Storage
ເລະທີ່ສ່ວນ:
RN1711JE(TE85L,F)-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
TRANSISTOR NPN X2 BRT Q1BSR10KOH
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV
ສິນຄ້າ:
4000 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12890305
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
RN1711JE(TE85L,F) ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ຄວາມຮວມສນານ ບິໂປລາ ທຣານຊິສຕອນ ອາລະວິເສດ, ພຣີ-ບາຍສດ
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Resistor - Base (R1)
10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
250MHz
ພະລັງ - Max
100mW
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SOT-553
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
ESV
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
RN1711
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
4,000
ຊື່ ອື່ນໆ
RN1711JE(TE85LF)DKR
RN1711JE(TE85LF)TR
RN1711JE(TE85LF)CT
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
RN2708JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RN2904FE,LF
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN1710,LF
NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF.
