RN1710JE(TE85L,F)
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

RN1710JE(TE85L,F)

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Toshiba Semiconductor and Storage

ເລະທີ່ສ່ວນ:

RN1710JE(TE85L,F)-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

NPN X 2 BRT Q1BSR=4.7KOHM Q1BER=
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV

ສິນຄ້າ:

3863 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
13275908
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

RN1710JE(TE85L,F) ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ຄວາມຮວມສນານ ບິໂປລາ ທຣານຊິສຕອນ ອາລະວິເສດ, ພຣີ-ບາຍສດ
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Resistor - Base (R1)
4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
250MHz
ພະລັງ - Max
100mW
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SOT-553
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
ESV
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
RN1710

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
4,000
ຊື່ ອື່ນໆ
264-RN1710JE(TE85LF)DKR
264-RN1710JE(TE85LF)CT
264-RN1710JE(TE85LF)TR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
rohm-semi

FMC2T148

TRANS DGTL BJT NPN/PNP SMT5

diodes

DDC143XU-13

Prebias Transistor SOT363 T&R 10

micro-commercial-components

UMD10N-TP

TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V

micro-commercial-components

EMD22-TP

Interface