ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
RN1117(T5L,F,T)
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Toshiba Semiconductor and Storage
ເລະທີ່ສ່ວນ:
RN1117(T5L,F,T)-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
ສິນຄ້າ:
12889759
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
nhXt
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
RN1117(T5L,F,T) ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິບລາ ແບບດຽວ ປິບິດ ນິຍົມ ບິບລາ
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Discontinued at Digi-Key
ປະເພດ Transistor
NPN - Pre-Biased
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Resistor - Base (R1)
10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
4.7 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
500nA
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
250 MHz
ພະລັງ - Max
100 mW
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SC-75, SOT-416
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
SSM
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
RN1117
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
RN1117 (T5L,F,T)
RN1117(T5LFT)TR
RN1117(T5LFT)CT
RN1117T5LFT
RN1117(T5LFT)DKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
RoHS Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
DDTC114WE-7-F
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
DDTC114WE-7-F-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.03
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
RN1117MFV,L3F
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Semiconductor and Storage
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
RN1117MFV,L3F-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.02
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
RN1415,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
RN1406S,LF(D
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
RN1116,LF(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
