RN1113ACT(TPL3)
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

RN1113ACT(TPL3)

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Toshiba Semiconductor and Storage

ເລະທີ່ສ່ວນ:

RN1113ACT(TPL3)-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3

ສິນຄ້າ:

9990 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12889365
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

RN1113ACT(TPL3) ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິບລາ ແບບດຽວ ປິບິດ ນິຍົມ ບິບລາ
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
Cut Tape (CT)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
NPN - Pre-Biased
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Resistor - Base (R1)
47 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
ພະລັງ - Max
100 mW
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SC-101, SOT-883
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
CST3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
RN1113

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
10,000
ຊື່ ອື່ນໆ
RN1113ACT(TPL3)DKR
RN1113ACT(TPL3)TR
RN1113ACT(TPL3)CT

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
RoHS Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
PDTC144TM,315
ຜູ້ຜະລິດ
NXP Semiconductors
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
38937
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
PDTC144TM,315-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.03
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1406,LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1415(TE85L,F)

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI

diodes

DDTA113ZE-7-F

TRANS PREBIAS PNP 50V SOT523

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1108(T5L,F,T)

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM