ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
RN1103MFV,L3F
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Toshiba Semiconductor and Storage
ເລະທີ່ສ່ວນ:
RN1103MFV,L3F-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
ສິນຄ້າ:
254 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12889861
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
RN1103MFV,L3F ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິບລາ ແບບດຽວ ປິບິດ ນິຍົມ ບິບລາ
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
Cut Tape (CT)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
NPN - Pre-Biased
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Resistor - Base (R1)
22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
22 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
500nA
ພະລັງ - Max
150 mW
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SOT-723
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
VESM
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
RN1103
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
8,000
ຊື່ ອື່ນໆ
RN1103MFV,L3F(T
RN1103MFV,L3F(B
RN1103MFVL3FTR
RN1103MFVL3FDKR
RN1103MFVL3FCT
RN1103MFVL3F
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
RoHS Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
NSBC124EF3T5G
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
4316
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
NSBC124EF3T5G-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.07
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
DTC124EM3T5G
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
7315
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
DTC124EM3T5G-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.03
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
RN2305(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
RN1103MFV(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN2114(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
