ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
RN1102MFV,L3F
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Toshiba Semiconductor and Storage
ເລະທີ່ສ່ວນ:
RN1102MFV,L3F-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
ສິນຄ້າ:
13398 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12889204
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
RN1102MFV,L3F ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິບລາ ແບບດຽວ ປິບິດ ນິຍົມ ບິບລາ
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
NPN - Pre-Biased
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Resistor - Base (R1)
10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
10 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
500nA
ພະລັງ - Max
150 mW
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SOT-723
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
VESM
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
RN1102
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
8,000
ຊື່ ອື່ນໆ
RN1102MFVL3F(BDKR-DG
RN1102MFVL3FDKR
RN1102MFV (TL3,T)
RN1102MFVL3FCT
RN1102MFV(TL3T)TR
RN1102MFV,L3F(B
RN1102MFVL3FTR
RN1102MFVL3F-DG
RN1102MFVTL3T
RN1102MFVL3F(BTR
RN1102MFVL3F(BTR-DG
RN1102MFV(TL3,T)
RN1102MFVL3F(BCT-DG
RN1102MFV(TL3T)CT
RN1102MFVL3F
RN1102MFV(TL3T)TR-DG
RN1102MFV,L3F(T
RN1102MFV(TL3T)DKR
RN1102MFV(TL3T)DKR-DG
RN1102MFVL3F(BDKR
RN1102MFV(TL3T)CT-DG
RN1102MFVL3F(BCT
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
DDTC123JE-7-F
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523
RN2303,LF
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
RN2114MFV,L3F
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
