ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
MT3S111(TE85L,F)
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Toshiba Semiconductor and Storage
ເລະທີ່ສ່ວນ:
MT3S111(TE85L,F)-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ SMINI
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
RF Transistor NPN 6V 100mA 11.5GHz 700mW Surface Mount S-Mini
ສິນຄ້າ:
7771 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12889624
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
MT3S111(TE85L,F) ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), Transistor RF Bipolar
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
6V
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
11.5GHz
ຕົວເລກສຽງດັງ (dB Typ @ f)
1.2dB @ 1GHz
ຜົນປະໂຫຍດ
12dB
ພະລັງ - Max
700mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 30mA, 5V
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
100mA
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
S-Mini
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
MT3S111
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
MT3S111(TE85LF)DKR
MT3S111(TE85LF)TR
MT3S111(TE85LF)
MT3S111(TE85LF)CT
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
MT3S113P(TE12L,F)
RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI
2SC4215-Y(TE85L,F)
RF TRANS NPN 30V 550MHZ USM
2SC5086-Y,LF
RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM
