ໜ້າທໍ່
ສິນຄ້າ
ຜູ້ປະຕິບັດ
ແກ່ການເວັບໄຊ DiGi
ແຈ້ງບັນຊາ
ບລັອກ ແລະໂພສ
RFQ/ອະທິບາຍ
Laos
ເຂົ້າໃຈ
ເລືອກພາສາ
ພາສາປະຈຸບັນຂອງທ່ານແວ່ນເລືອກ:
Laos
ປ່ອນ:
ພາສາອັງກິດ
ເອີຣົບ
ປະເທດຣາດຊະອານາຈັກອັງກິດ
DR Congo
ປະເທດອາເຈນຕິນາ
ປະເທດຕຸລາກີ
ປະເທດໂຣມາເນຍ
ປະເທດລິດທົວເນຍ
ປະເທດນໍເວ
ປະເທດໂອຕຣິດ
ແອນ ໂກ ລາ
ປະເທດສະໂລວາເກຍ
ltaly
ປະເທດຟິນແລນ
ປະເທດເບລາຣຸດ
ປະເທດບັງກາເຣຍ
ປະເທດເດນມາກ
ປະເທດເອດສະໂຕເນຍ
ປະເທດໂປແລນ
ປະເທດຢູເຄຣນ
ປະເທດສະໂລວາເນຍ
ພາສາເຊັກໂກ
ພາສາເກຼັກ
ປະເທດໂຄເອເຊຍ
ປະເທດອິດສະລາແອວ
ມອນເຕເນໂກຣ
ພາສາຣັດເຊຍ
ປະເທດເບນຊິກ
ປະເທດສະວີເດັນ
ປະເທດເຊີເບຍ
ພາສາແບສ
ປະເທດໄອສແລນ
ປະເທດບອສເນຍ
ພາສາຮົງກາລີ
ປະເທດ Moldova
ປະເທດເຢຍລະມັນ
ປະເທດເນເທີແລນ
ປະເທດໄອແລນ
ອາຊີ / ປາຊີຟິກ
ປະ ເທດ ຈີນ
ປະເທດຫວຽດນາມ
ປະເທດອິນໂດເນເຊຍ
ປະເທດໄທ
ລາວເວົ້າ
ພາສາຟິລິບປິນ
ປະເທດມາເລເຊຍ
ປະເທດເກົາຫຼີ
ປະເທດຍີ່ປຸ່ນ
ຮົງກົງ
ປະເທດໄຕ້ຫວັນ
ປະເທດສິງກະໂປ
Pakistan
ປະເທດຊາອູດິອາຣະເບຍ
ປະເທດກາຕ້າ
ປະເທດກູເວດ
ປະເທດກໍາປູເຈຍ
ມຽນມາ
ອາ ຟຣິ ກາ, ອິນ ເດຍ ແລະ ຕາ ເວັນ ອອກ ກາງ
ປະເທດສະຫະພາບອາຣັບເອມິເຣດ
ຕາຈິກສະຕັນ
ມາດາກາສະກາ
ປະເທດອິນເດຍ
ປະເທດອີຣານ
ປະເທດຝຣັ່ງ
ປະເທດອັບຝຣິກກາໄຕ້
ປະເທດເອຢິບ
ປະເທດເຄນຢ້າ
ປະເທດ Tanzania
ປະ ເທດກາ ນາ
ເຊເນກາລ
ປະເທດໂມຣົກໂກ
ປະເທດຕຸນີເຊຍ
ອາ ເມ ຣິ ກາ ໃຕ້ / ໂອ ເຊຍ
ປະເທດນິວຊີແລນ
ປະເທດໂປຕູເກດ
ປະເທດເບຣຊິນ
ໂມຊໍາບິກ
ປະເທດເປຣູ
ປະເທດໂຄລຳເບຍ
ປະເທດຊິລີ
ປະເທດເວເນຊູເອລ້າ
ປະເທດເອກົວດໍ
ປະເທດໂບລີເວຍ
ປະເທດອູຣູໄກວ
ປະເທດສະເປນ
ປະເທດປາຣາໄກວ
ປະເທດອົດສະຕຣາລີ
ອາ ເມ ຣິ ກາ ເຫນືອ
ປະເທດສະຫະລັດອາເມລິກາ
ປະເທດ ເຮ ຕີ້
ປະເທດການາດາ
ປະເທດຄອດສະຕາຣິກາ
ປະເທດແມັກຊີໂກ
ແກ່ການເວັບໄຊ DiGi
ກໍ່ກ່ຽວກັບເຮົາ
ກໍ່ກ່ຽວກັບເຮົາ
ใบรับรองของเรา
DiGi ບົດນຳແນະ
ວສິຄະ ໃຫ້ DiGi
ນโยບາຍ
ປະລິມານຄຸນທັບ
ເງື່ນໄຂການໃຊ້ງານ
ການປ່ອນສາຍ RoHS
ການສະແດງການກັບຄືນ
ທະບຽນ
ປະເພດສິນຄ້າ
ຜູ້ປະຕິບັດ
ບລັອກ ແລະໂພສ
ໃບບໍລິສັດ
ການປະກັນຄະດີ
ວິທີການເຊອຍເອີນ
ການສົ່ງສິນຄ້າລະດົກທົ່ວໄປ
ອັດຕາຄ່າແບ່ງສົ່ງ
ຄວາມຖາມທີ່ພໍໃຈ
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
HN4B102J(TE85L,F)
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Toshiba Semiconductor and Storage
ເລະທີ່ສ່ວນ:
HN4B102J(TE85L,F)-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
PB-F POWER TRANSISTOR SMV MOQ=30
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 1.8A, 2A 750mW Surface Mount SMV
ສິນຄ້າ:
2900 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12988801
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
*
ບໍລິສັດ
*
ຊື່ຕໍ່ສຽງ
*
ໂທ
*
ອີເມວ
ສະຖານທີ່ສົ່ງໃບເດີນ
ຂໍເລືອກສາທາລະນະ
(
*
) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
HN4B102J(TE85L,F) ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິໂປລາ ທຣານຊີສະຕອນ ອາເລບລະລຸດ
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
NPN, PNP
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
1.8A, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 200mA, 2V
ພະລັງ - Max
750mW
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
-
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SC-74A, SOT-753
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
SMV
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
HN4B102
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
HN4B102J
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
264-HN4B102J(TE85LF)TR
264-HN4B102J(TE85LF)TR-DG
264-HN4B102J(TE85L,F)DKR
264-HN4B102J(TE85L,F)TR-DG
264-HN4B102J(TE85L,F)TR
264-HN4B102J(TE85L,F)CT
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
ULN2803CDWR
50-V, EIGHT-CHANNEL DARLINGTON A
SBC846BDW1T1G-M01
SBC846BDW1T1G-M01
CMLT3474 TR
TRANS NPN/PNP 25V 1A SOT563
MMDT3906HE3-TP
DUAL PNP TRANSISTORS, SOT-363