ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
HN3C51F-GR(TE85L,F
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Toshiba Semiconductor and Storage
ເລະທີ່ສ່ວນ:
HN3C51F-GR(TE85L,F-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
ສິນຄ້າ:
12889166
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
HN3C51F-GR(TE85L,F ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິໂປລາ ທຣານຊີສະຕອນ ອາເລບລະລຸດ
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ Transistor
2 NPN (Dual)
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
ພະລັງ - Max
300mW
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
100MHz
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SC-74, SOT-457
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
SM6
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
HN3C51
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
HN3C51FGR(TE85LFTR
HN3C51F-GR(TE85LF)CT-DG
HN3C51F-GR(TE85LF)TR-DG
HN3C51F-GR(TE85LFDKR
HN3C51F-GR(TE85LF)TR
HN3C51F-GR(TE85LFTR
HN3C51F-GR(TE85L,F)
HN3C51FGR(TE85LFTR-DG
HN3C51F-GRTE85LF
HN3C51F-GR(TE85LFCT
HN3C51F-GR(TE85LF)CT
HN3C51F-GR(TE85LF)DKR
HN3C51F-GR(TE85LF)DKR-DG
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
HN1C01FU-GR,LF
TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
HN3A51F(TE85L,F)
TRANS 2PNP 120V 0.1A SM6
HN4A56JU(TE85L,F)
TRANS 2 PNP 50V 150MA 5TSSOP
