ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
HN3C10FUTE85LF
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Toshiba Semiconductor and Storage
ເລະທີ່ສ່ວນ:
HN3C10FUTE85LF-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 80mA 7GHz 200mW Surface Mount US6
ສິນຄ້າ:
101 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12890009
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
HN3C10FUTE85LF ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), Transistor RF Bipolar
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
Cut Tape (CT)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
2 NPN (Dual)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12V
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
7GHz
ຕົວເລກສຽງດັງ (dB Typ @ f)
1.1dB @ 1GHz
ຜົນປະໂຫຍດ
11.5dB
ພະລັງ - Max
200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 20mA, 10V
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
80mA
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
US6
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
HN3C10
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
HN3C10FUTE85LFTR
HN3C10FUTE85LFCT
HN3C10FUTE85LFDKR
HN3C10FU(TE85L,F)
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
RoHS Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
BFS483H6327XTSA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
48371
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
BFS483H6327XTSA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.23
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
2SC5066-O,LF
RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM
2SC5065-Y(TE85L,F)
RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM
2SC5084-O(TE85L,F)
RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMINI
