ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
HN1B01FU-GR,LF
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Toshiba Semiconductor and Storage
ເລະທີ່ສ່ວນ:
HN1B01FU-GR,LF-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 150MHz 200mW, 210mW Surface Mount US6
ສິນຄ້າ:
2960 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12890675
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
HN1B01FU-GR,LF ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິໂປລາ ທຣານຊີສະຕອນ ອາເລບລະລຸດ
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
NPN, PNP
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
ພະລັງ - Max
200mW, 210mW
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
150MHz
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
125°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
US6
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
HN1B01
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
HN1B01FU-GRLFCT
HN1B01FUGRLFTDKR
HN1B01FU-GR,LF(B
HN1B01FUGRLFT
HN1B01FU-GR,LF(T
HN1B01FUGRLFTTR
HN1B01FU-GRLFDKR
HN1B01FU-GRLF
HN1B01FUGRLFTCT-DG
HN1B01FU-GRLF-DG
HN1B01FU-GRLFINACTIVE
HN1B01FU-GRLFTR
HN1B01FUGRLFTCT
HN1B01FUGRLFTDKR-DG
HN1B01FUGRLFTTR-DG
HN1B01FU-GR(L,F,T)
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
ULN2004APG,C,N
IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16DIP
ULN2004AFWG,N,E
IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOL
HN1A01FU-Y,LF
TRANS 2PNP 50V 0.15A US6
