ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
2SK3132(Q)
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Toshiba Semiconductor and Storage
ເລະທີ່ສ່ວນ:
2SK3132(Q)-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 500V 50A TO3P
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 500 V 50A (Ta) 250W (Tc) Through Hole TO-3P(L)
ສິນຄ້າ:
12890088
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
2SK3132(Q) ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
50A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
95mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 1mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
280 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
11000 pF @ 10 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
250W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-3P(L)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-3PL
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
2SK3132
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
25
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXFK64N50Q3
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
23
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXFK64N50Q3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
17.55
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
TK31J60W,S1VQ
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Semiconductor and Storage
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
25
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
TK31J60W,S1VQ-DG
ລາຄາຕໍານອນ
4.32
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXFK78N50P3
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXFK78N50P3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
12.94
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
TK6A80E,S4X
MOSFET N-CH 800V 6A TO220SIS
SSM3J328R,LF
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
SSM3K336R,LF
MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F
