ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
2SD2257,Q(J
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Toshiba Semiconductor and Storage
ເລະທີ່ສ່ວນ:
2SD2257,Q(J-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
TRANS NPN 100V 3A TO220NIS
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 2 W Through Hole TO-220NIS
ສິນຄ້າ:
12889335
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
2SD2257,Q(J ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິປອລາ ຕຣານຊິສໍເກອນ ດຽວ
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ Transistor
NPN
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 1.5mA, 1.5A
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
2000 @ 2A, 2V
ພະລັງ - Max
2 W
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
-
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3 Full Pack
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220NIS
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
2SD2257
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1
ຊື່ ອື່ນໆ
2SD2257Q(J
2SD2257QJ
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
2SA1162-GR,LF
TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
2SC4881(CANO,F,M)
TRANS NPN 50V 5A TO220NIS
BC856BL3-TP
TRANS PNP 65V 0.1A DFN1006-3
