ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
2SD1407A-Y(F)
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Toshiba Semiconductor and Storage
ເລະທີ່ສ່ວນ:
2SD1407A-Y(F)-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
TRANS NPN 100V 5A TO220NIS
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 5 A 12MHz 30 W Through Hole TO-220NIS
ສິນຄ້າ:
12891164
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
2SD1407A-Y(F) ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິປອລາ ຕຣານຊິສໍເກອນ ດຽວ
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ Transistor
NPN
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2V @ 400mA, 4A
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 1A, 5V
ພະລັງ - Max
30 W
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
12MHz
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3 Full Pack
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220NIS
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
2SD1407
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
MJF31CG
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
231
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
MJF31CG-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.44
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
TTC004B,Q
TRANS NPN 160V 1.5A TO126N
2SB1495,Q(J
TRANS PNP 100V 3A TO220NIS
2SC3326-A,LF
TRANS NPN 20V 0.3A TO236
