2SC2229(TE6SAN1F,M
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

2SC2229(TE6SAN1F,M

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Toshiba Semiconductor and Storage

ເລະທີ່ສ່ວນ:

2SC2229(TE6SAN1F,M-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

TRANS NPN 150V 0.05A TO92MOD
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 150 V 50 mA 120MHz 800 mW Through Hole TO-92MOD

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ
12891384
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

2SC2229(TE6SAN1F,M ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິປອລາ ຕຣານຊິສໍເກອນ ດຽວ
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ Transistor
NPN
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
150 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 1mA, 10mA
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
ພະລັງ - Max
800 mW
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
120MHz
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-92MOD
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
2SC2229

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1
ຊື່ ອື່ນໆ
2SC2229(TE6SAN1FM
2SC2229TE6SAN1FM

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
micro-commercial-components

MMBT3904M-TP

TRANS NPN 40V 0.2A SOT883

toshiba-semiconductor-and-storage

2SC5201(TE6,F,M)

TRANS NPN 600V 0.05A TO92MOD

toshiba-semiconductor-and-storage

2SA1182-GR,LF

TRANS PNP 30V 0.5A SMINI

toshiba-semiconductor-and-storage

2SC2859-O(TE85L,F)

TRANS NPN 30V 0.5A SMINI