2SA1930(Q,M)
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

2SA1930(Q,M)

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Toshiba Semiconductor and Storage

ເລະທີ່ສ່ວນ:

2SA1930(Q,M)-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

TRANS PNP 180V 2A TO220NIS
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 180 V 2 A 200MHz 2 W Through Hole TO-220NIS

ສິນຄ້າ:

12891716
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

2SA1930(Q,M) ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິປອລາ ຕຣານຊິສໍເກອນ ດຽວ
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ Transistor
PNP
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
180 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 100mA, 1A
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 5V
ພະລັງ - Max
2 W
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
200MHz
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3 Full Pack
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220NIS
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
2SA1930

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
500
ຊື່ ອື່ນໆ
2SA1930(Q,M)-DG
2SA1930QM

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
TTA004B,Q
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Semiconductor and Storage
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
TTA004B,Q-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.12
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
toshiba-semiconductor-and-storage

2SC3669-Y,T2PASF(M

TRANS NPN 80V 2A MSTM

micro-commercial-components

2SA684-AP

TRANS PNP 50V 1A TO92L

diodes

FZT788BTA

TRANS PNP 15V 3A SOT223-3

toshiba-semiconductor-and-storage

2SC4116-Y,LF

TRANS NPN 50V 0.15A SC70