2SA1680,T6F(J
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

2SA1680,T6F(J

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Toshiba Semiconductor and Storage

ເລະທີ່ສ່ວນ:

2SA1680,T6F(J-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 2 A 100MHz 900 mW Through Hole TO-92MOD

ສິນຄ້າ:

12891947
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

2SA1680,T6F(J ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິປອລາ ຕຣານຊິສໍເກອນ ດຽວ
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ Transistor
PNP
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 1A
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 100mA, 2V
ພະລັງ - Max
900 mW
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
100MHz
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-92MOD
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
2SA1680

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1
ຊື່ ອື່ນໆ
2SA1680T6F(J
2SA1680T6FJ

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
2SA2060(TE12L,F)
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Semiconductor and Storage
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
680
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
2SA2060(TE12L,F)-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.16
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
diodes

BCV27TA

TRANS NPN DARL 30V 0.5A SOT23-3

diodes

FZT869TC

TRANS NPN 25V 7A SOT223-3

taiwan-semiconductor

TSB772CK B0G

TRANS PNP 30V 3A TO126

micro-commercial-components

S9012-G-BP

TRANS PNP 25V 0.5A TO92