ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
CSD86330Q3D
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Texas Instruments
ເລະທີ່ສ່ວນ:
CSD86330Q3D-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 25V 20A 6W Surface Mount 8-LSON (3.3x3.3)
ສິນຄ້າ:
23708 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12791527
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
CSD86330Q3D ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
Texas Instruments
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
NexFET™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ການຕັ້ງຄ່າ
2 N-Channel (Half Bridge)
ລັກສະນະ FET
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
25V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.6mOhm @ 14A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
920pF @ 12.5V
ພະລັງ - Max
6W
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerLDFN
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-LSON (3.3x3.3)
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
CSD86330Q3
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຫນ້າຜະລິດຕະພັນຜູ້ຜະລິດ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,500
ຊື່ ອື່ນໆ
296-28216-2
TEXTISCSD86330Q3D
296-28216-6
-296-28216-1-DG
-CSD86330Q3D-NDR
2156-CSD86330Q3D
296-28216-1
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
CJ3139KDW-G
MOSFET 2P-CH 20V 0.66A SOT363
CMLDM7002AG TR PBFREE
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
CMLDM8002AG TR PBFREE
MOSFET 2P-CH 50V 0.28A SOT563