ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
CSD23202W10
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Texas Instruments
ເລະທີ່ສ່ວນ:
CSD23202W10-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 12 V 2.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)
ສິນຄ້າ:
14404 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
13036083
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
CSD23202W10 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Texas Instruments
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
NexFET™
ແພັກເກດ
Tape & Reel (TR)
ສະຖານະພາບຂອງພາກສ່ວນ
Active
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
12 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
53mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
3.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
-6V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
512 pF @ 6 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
4-DSBGA (1x1)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
4-UFBGA, DSBGA
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
CSD23202
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຫນ້າຜະລິດຕະພັນຜູ້ຜະລິດ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
CSD23202W10-ND
296-40000-2
296-40000-1
-296-40000-1-ND
296-40000-6
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
CSD16327Q3
MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
CSD19536KCS
MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3
CSD18537NQ5AT
MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON
