ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
CSD13306W
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Texas Instruments
ເລະທີ່ສ່ວນ:
CSD13306W-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 12 V 3.5A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)
ສິນຄ້າ:
2985 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12793772
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
CSD13306W ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Texas Instruments
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
NexFET™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
12 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
3.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.3V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1370 pF @ 6 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1.9W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
6-DSBGA (1x1.5)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
6-UFBGA, DSBGA
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
CSD13306
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຫນ້າຜະລິດຕະພັນຜູ້ຜະລິດ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
296-49597-2
296-49597-1
CSD13306W-DG
296-49597-6
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
CSD13306WT
ຜູ້ຜະລິດ
Texas Instruments
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
2085
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
CSD13306WT-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.38
ປ່ແທນປະເພດ
Parametric Equivalent
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
PMCM6501VNEZ
ຜູ້ຜະລິດ
NXP USA Inc.
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
2022638
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
PMCM6501VNEZ-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.19
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
CSD18504KCS
MOSFET N-CH 40V 53A/100A TO220-3
CSD15380F3
MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR
CDM2206-800LR SL PBFREE
MOSFET N-CH 800V 6A TO220
