ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
CSD13303W1015
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Texas Instruments
ເລະທີ່ສ່ວນ:
CSD13303W1015-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 12 V 31A (Ta) 1.65W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)
ສິນຄ້າ:
46 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12788613
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
CSD13303W1015 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Texas Instruments
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
NexFET™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
12 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
31A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
4.7 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
715 pF @ 6 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1.65W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
6-DSBGA (1x1.5)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
6-UFBGA, DSBGA
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
CSD13303
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຫນ້າຜະລິດຕະພັນຜູ້ຜະລິດ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
2156-CSD13303W1015
TEXTISCSD13303W1015
296-39990-2
296-39990-1
-296-39990-1-DG
296-39990-6
CSD13303W1015-DG
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
CSD17313Q2
MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
CSD13302W
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
CSD18543Q3A
MOSFET N-CH 60V 60A 8VSON
