ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
TSM7ND65CI
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Taiwan Semiconductor Corporation
ເລະທີ່ສ່ວນ:
TSM7ND65CI-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 650V 7A ITO220
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 50W (Tc) Through Hole ITO-220
ສິນຄ້າ:
3 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12900020
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
TSM7ND65CI ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Taiwan Semiconductor
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.35Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1124 pF @ 50 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
50W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
ITO-220
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
TSM7
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ຊື່ ອື່ນໆ
TSM7ND65CI RLG
TSM7ND65CI-DG
TSM7ND65CI C0G
1801-TSM7ND65CI
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
TSM120N06LCR RLG
MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN
TSM70N10CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 100V 70A TO252
DMN2230UQ-7
MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
