ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
STW60NE10
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
STMicroelectronics
ເລະທີ່ສ່ວນ:
STW60NE10-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 100V 60A TO247-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247-3
ສິນຄ້າ:
12879150
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
STW60NE10 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
STripFET™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5300 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
180W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-247-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-247-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
STW60N
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
30
ຊື່ ອື່ນໆ
497-2643-5
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
RoHS non-compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXTQ75N10P
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
3
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXTQ75N10P-DG
ລາຄາຕໍານອນ
2.44
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXTH110N10L2
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXTH110N10L2-DG
ລາຄາຕໍານອນ
12.20
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
STB36NM60N
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
STWA45N65M5
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
STF28N60M2
MOSFET N-CH 600V 24A TO220FP