ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
STW23N80K5
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
STMicroelectronics
ເລະທີ່ສ່ວນ:
STW23N80K5-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 800V 16A TO247
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 800 V 16A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3
ສິນຄ້າ:
12876445
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
STW23N80K5 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
MDmesh™ K5
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1000 pF @ 100 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
190W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-247-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-247-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
STW23
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
30
ຊື່ ອື່ນໆ
497-16331-5
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXTH30N60P
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
648
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXTH30N60P-DG
ລາຄາຕໍານອນ
5.55
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXTH30N60L2
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
475
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXTH30N60L2-DG
ລາຄາຕໍານອນ
12.61
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXTH20N65X
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
595
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXTH20N65X-DG
ລາຄາຕໍານອນ
5.92
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
STD120N4LF6
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
SCTWA30N120
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
STB200N6F3
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
