ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
STW12NK60Z
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
STMicroelectronics
ເລະທີ່ສ່ວນ:
STW12NK60Z-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247-3
ສິນຄ້າ:
12879548
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
STW12NK60Z ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
SuperMESH™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
640mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1740 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
150W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-247-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-247-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
STW12N
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
30
ຊື່ ອື່ນໆ
STW12NK60Z-DG
497-10995-5
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IRFPC50APBF
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
4648
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IRFPC50APBF-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.74
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXFH14N60P
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
24
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXFH14N60P-DG
ລາຄາຕໍານອນ
2.65
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IRFPC50PBF
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IRFPC50PBF-DG
ລາຄາຕໍານອນ
2.73
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
STD40NF10
MOSFET N-CH 100V 50A DPAK
STL70N4LLF5
MOSFET N-CH 40V 70A POWERFLAT
STW52NK25Z
MOSFET N-CH 250V 52A TO247-3
