STQ1HNK60R-AP
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

STQ1HNK60R-AP

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

STMicroelectronics

ເລະທີ່ສ່ວນ:

STQ1HNK60R-AP-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 400mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3

ສິນຄ້າ:

7445 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12878150
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

STQ1HNK60R-AP ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ບັນທຶກ
Tape & Box (TB)
ຊຸດ
SuperMESH™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
400mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
156 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
3W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-92-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
STQ1HNK60

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,000
ຊື່ ອື່ນໆ
497-15648-1
STQ1HNK60R-AP-DG
497-15648-3

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
stmicroelectronics

STL6P3LLH6

MOSFET P-CH 30V 6A POWERFLAT

stmicroelectronics

STL10N65M2

MOSFET N-CH 650V 4.5A POWERFLAT

stmicroelectronics

STW13N60M2

MOSFET N-CH 600V 11A TO247

stmicroelectronics

STP8NM50

MOSFET N-CH 550V 8A TO220AB