ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
STP33N60M6
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
STMicroelectronics
ເລະທີ່ສ່ວນ:
STP33N60M6-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 600V 25A TO220
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220
ສິນຄ້າ:
12875480
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
STP33N60M6 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
MDmesh™ M6
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.75V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
33.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1515 pF @ 100 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
190W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
STP33
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
497-18250
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FCP130N60
ຜູ້ຜະລິດ
Fairchild Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
127
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FCP130N60-DG
ລາຄາຕໍານອນ
2.72
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
R6027YNX3C16
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
1000
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
R6027YNX3C16-DG
ລາຄາຕໍານອນ
2.44
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
PHP174NQ04LT,127
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
STD30NF06LAG
MOSFET N-CH 60V 28A DPAK
STP4N150
MOSFET N-CH 1500V 4A TO220AB