ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
STP26N60M2
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
STMicroelectronics
ເລະທີ່ສ່ວນ:
STP26N60M2-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 169W (Tc) Through Hole TO-220
ສິນຄ້າ:
12877742
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
STP26N60M2 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
MDmesh™ M2
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (Max)
±25V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
169W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
STP26
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
TK17E65W,S1X
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Semiconductor and Storage
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
12
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
TK17E65W,S1X-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.35
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IPP60R170CFD7XKSA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
425
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IPP60R170CFD7XKSA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.31
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
R6022YNX3C16
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
998
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
R6022YNX3C16-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.30
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
AOT27S60L
ຜູ້ຜະລິດ
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
3844
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
AOT27S60L-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.66
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
STD100N3LF3
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
STD2NM60T4
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
STD7NM80
MOSFET N-CH 800V 6.5A DPAK