STI33N60M6

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

STI33N60M6

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

STMicroelectronics

ເລະທີ່ສ່ວນ:

STI33N60M6-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 600 V 25A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ

12970758

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

STI33N60M6 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

STMicroelectronics

ບັນທຶກ

-

ຊຸດ

MDmesh™ M6

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Obsolete

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

25A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.75V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33.4 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±25V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1515 pF @ 100 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

190W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Through Hole

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

TO-262 (I2PAK)

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

STI33

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

1,000

ຊື່ ອື່ນໆ

497-STI33N60M6

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ

STI47N60DM6AG

ຜູ້ຜະລິດ

STMicroelectronics

ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ

40

DiGi ບໍ່ຈໍານວນ

STI47N60DM6AG-DG

ລາຄາຕໍານອນ

3.19

ປ່ແທນປະເພດ

Similar

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

alpha-and-omega-semiconductor

AOB600A70FL

MOSFET N-CH 700V 8.5A TO263

panjit

PJW4P06A-AU_R2_000A1

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJQ5461A_R2_00001

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJA3405-AU_R2_000A1

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M