ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
STB20NM50-1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
STMicroelectronics
ເລະທີ່ສ່ວນ:
STB20NM50-1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 550V 20A I2PAK
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 550 V 20A (Tc) 192W (Tc) Through Hole I2PAK
ສິນຄ້າ:
12880149
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
STB20NM50-1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
MDmesh™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
550 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1480 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
192W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-65°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
I2PAK
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
STB20N
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ຊື່ ອື່ນໆ
497-5382-5
-497-5382-5
1805-STB20NM50-1
STB20NM50-1-DG
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STP20NM60
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
927
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STP20NM60-DG
ລາຄາຕໍານອນ
3.07
ປ່ແທນປະເພດ
Direct
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
STW45N60DM6
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
SCTH90N65G2V-7
SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7
STL11N4LLF5
MOSFET N-CH 40V 11A POWERFLAT
