ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SCTWA50N120
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
STMicroelectronics
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SCTWA50N120-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 1200 V 65A (Tc) 318W (Tc) Through Hole HiP247™
ສິນຄ້າ:
12877054
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SCTWA50N120 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
65A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
69mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
122 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1900 pF @ 400 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
318W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 200°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
HiP247™
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-247-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SCTWA50
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
600
ຊື່ ອື່ນໆ
SCTWA50N120-DG
497-SCTWA50N120
-1138-SCTWA50N120
497-18637
497-18637-DG
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
C3M0065090D
ຜູ້ຜະລິດ
Wolfspeed, Inc.
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
1319
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
C3M0065090D-DG
ລາຄາຕໍານອນ
12.82
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
MSC040SMA120B
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
61
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
MSC040SMA120B-DG
ລາຄາຕໍານອນ
16.98
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
STP16NF06
MOSFET N-CH 60V 16A TO220AB
STB22NM60N
MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK
STB5N52K3
MOSFET N-CH 525V 4.4A D2PAK
