ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SCTW40N120G2V
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
STMicroelectronics
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SCTW40N120G2V-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 1200 V 36A (Tc) 278W (Tc) Through Hole HiP247™
ສິນຄ້າ:
12950523
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SCTW40N120G2V ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
36A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 1mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1233 pF @ 800 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
278W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 200°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
HiP247™
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-247-3
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
30
ຊື່ ອື່ນໆ
497-SCTW40N120G2V
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
MSC080SMA120B
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
143
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
MSC080SMA120B-DG
ລາຄາຕໍານອນ
8.97
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
STL260N4LF7
N-CHANNEL 40 V, 0.00085 OHM TYP.
SCTH70N120G2V-7
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
SCTL90N65G2V
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650