ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SCT30N120
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
STMicroelectronics
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SCT30N120-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 1200 V 40A (Tc) 270W (Tc) Through Hole HiP247™
ສິນຄ້າ:
12873372
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SCT30N120 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 1mA (Typ)
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1700 pF @ 400 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
270W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 200°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
HiP247™
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-247-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SCT30
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
30
ຊື່ ອື່ນໆ
497-14960
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
G3R75MT12J
ຜູ້ຜະລິດ
GeneSiC Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
4
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
G3R75MT12J-DG
ລາຄາຕໍານອນ
10.37
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXFH50N85X
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
1126
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXFH50N85X-DG
ລາຄາຕໍານອນ
11.11
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
MSC080SMA120B
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
143
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
MSC080SMA120B-DG
ລາຄາຕໍານອນ
8.97
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
STL65N3LLH5
MOSFET N-CH 30V 65A POWERFLAT
STU8N80K5
MOSFET N-CH 800V 6A TO251
STW26N65DM2
MOSFET N-CH 650V 20A TO247
